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Vishay SI7850DP-T1-E3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 6.2 A 1800 mW, 8-Pin PowerPAK SO-8


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Produktinformationen
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Vishay SI7850DP-T1-E3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 6.2 A 1800 mW, 8-Pin PowerPAK SO-8
Artikel-Nr.:
     108EL-7104764
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SI7850DP-T1-E3
EAN/GTIN:
     5059040886926
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet vishay
mosfet
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 6.2 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = PowerPAK SO-8
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 22 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 1800 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 18 nC @ 10 Vmm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm

N-Kanal MOSFET, 60 V bis 90 V, Vishay Semiconductor
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
6.2 A
Drain-Source-Spannung max.:
60 V
Gehäusegröße:
PowerPAK SO-8
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
8
Drain-Source-Widerstand max.:
22 mΩ
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.:
1V
Verlustleistung max.:
1800 mW
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
-20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs:
18 nC @ 10 Vmm
Betriebstemperatur min.:
-55 °Cmm
Weitere Suchbegriffe: 7104764, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SI7850DPT1E3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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