|  |
| |
| Artikel-Nr.:
108EL-7599692 Herst.-Nr.:
FDS86242 EAN/GTIN:
5059042097603 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 4,1 A
Drain-Source-Spannung max. = 150 V
Serie = PowerTrench
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 126 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 5 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 8,9 nC bei 10 Vmm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm
N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, bis zu 9,9 A, Fairchild Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 4,1 A | Drain-Source-Spannung max.: | 150 V | Serie: | PowerTrench | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 126 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 5 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 8,9 nC bei 10 Vmm | Betriebstemperatur min.: | -55 °Cmm |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: 7599692, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, FDS86242, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |