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| Artikel-Nr.:
108EL-7814250 Herst.-Nr.:
MMBT5551LT3G EAN/GTIN:
5059042800159 |
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| Transistor-Typ = NPN
DC Kollektorstrom max. = 600 mA
Kollektor-Emitter-Spannung = 160 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 225 mW
Gleichstromverstärkung min. = 80
Transistor-Konfiguration = Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max. = 180 V dc
Basis-Emitter Spannung max. = 6 V
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Hersteller-Teilenummern mit S- oder NSV-Präfix sind gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassen. Kleinsignal-NPN-Transistoren, ON Semiconductor Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN | DC Kollektorstrom max.: | 600 mA | Kollektor-Emitter-Spannung: | 160 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 225 mW | Gleichstromverstärkung min.: | 80 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 180 V dc | Basis-Emitter Spannung max.: | 6 V | Pinanzahl: | 3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur max.: | +150 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: smd transistor, onsemi transistor, 7814250, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, MMBT5551LT3G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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