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| Artikel-Nr.:
108EL-7816708 Herst.-Nr.:
2N7002PS,115 EAN/GTIN:
5059043291307 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 320 mA
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = SOT-363
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 6
Drain-Source-Widerstand max. = 2 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.4V
Gate-Schwellenspannung min. = 1.1V
Verlustleistung max. = 420 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1mm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm
N-Kanal-MOSFET, 60–80 V, Nexperia Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 320 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | SOT-363 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 6 | Drain-Source-Widerstand max.: | 2 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.4V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1.1V | Verlustleistung max.: | 420 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1mm | Betriebstemperatur min.: | -55 °Cmm |
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| Weitere Suchbegriffe: 7816708, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Nexperia, 2N7002PS,115, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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