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| Artikel-Nr.:
108EL-7879005 Herst.-Nr.:
SI1012CR-T1-GE3 EAN/GTIN:
5059040679702 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 630 mA
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Gehäusegröße = SC-75
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 1,1 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 0.4V
Verlustleistung max. = 240 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –8 V, +8 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1mm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm
N-Kanal MOSFET, 8 V bis 25 V, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 630 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 20 V | Gehäusegröße: | SC-75 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 1,1 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.4V | Verlustleistung max.: | 240 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | –8 V, +8 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1mm | Betriebstemperatur min.: | -55 °Cmm |
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| Weitere Suchbegriffe: 7879005, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SI1012CRT1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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