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Vishay TP0610K-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 185 mA 350 mW, 3-Pin SOT-23


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Vishay TP0610K-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 185 mA 350 mW, 3-Pin SOT-23
Artikel-Nr.:
     108EL-7879018
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     TP0610K-T1-GE3
EAN/GTIN:
     5059040844919
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet vishay
mosfet
Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 185 mA
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 10 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 350 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1mm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm

P-Kanal MOSFET, 30 V bis 80 V, Vishay Semiconductor
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
P
Dauer-Drainstrom max.:
185 mA
Drain-Source-Spannung max.:
60 V
Gehäusegröße:
SOT-23
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
10 Ω
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.:
1V
Verlustleistung max.:
350 mW
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip:
1mm
Betriebstemperatur min.:
-55 °Cmm
Weitere Suchbegriffe: mosfet sot-23, 7879018, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, TP0610KT1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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