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| Artikel-Nr.:
108EL-7904606 Herst.-Nr.:
DMN3070SSN-7 EAN/GTIN:
5059043240589 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 5,1 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = SOT-346
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 50 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.1V
Verlustleistung max. = 1,3 W, 780 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1mm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm
N-Kanal-MOSFET, 30 V, Diodes Inc Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 5,1 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Gehäusegröße: | SOT-346 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 50 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.1V | Verlustleistung max.: | 1,3 W, 780 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1mm | Betriebstemperatur min.: | -55 °Cmm |
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| Weitere Suchbegriffe: 7904606, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, DiodesZetex, DMN3070SSN7, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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