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| Artikel-Nr.:
108EL-7917876 Herst.-Nr.:
STR2N2VH5 EAN/GTIN:
5059042484748 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 2,3 A
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 40 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 0.7V
Verlustleistung max. = 350 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –8 V, +8 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1mm
Höhe = 1.3mm
N-Kanal STripFET™ V, STMicroelectronics. STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 2,3 A | Drain-Source-Spannung max.: | 20 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 40 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.7V | Verlustleistung max.: | 350 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | –8 V, +8 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1mm | Höhe: | 1.3mm |
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| Weitere Suchbegriffe: stm mosfet, 7917876, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STR2N2VH5, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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