|  |
| |
| Artikel-Nr.:
108EL-8063611 Herst.-Nr.:
FDPF3860T EAN/GTIN:
5059042046632 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 20 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Serie = PowerTrench
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 38 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2.5V
Verlustleistung max. = 33,8 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1mm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm
N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, 20 A bis 59,9 A, Fairchild Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 20 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Serie: | PowerTrench | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 38 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 2.5V | Verlustleistung max.: | 33,8 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1mm | Betriebstemperatur min.: | -55 °Cmm |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: mosfet 20a, 8063611, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, FDPF3860T, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |