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| Artikel-Nr.: 108EL-8115214 Herst.-Nr.: IS62WV51216BLL-55BLI EAN/GTIN: 5059045446965 |
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| Speicher Größe = 8MBit Organisation = 512 KB x 16 bit Anzahl der Wörter = 512k Anzahl der Bits pro Wort = 16bit Zugriffszeit max. = 55ns Adressbusbreite = 19bit Low Power = Ja Montage-Typ = SMD Gehäusegröße = BGA Pinanzahl = 48 Abmessungen = 8.8 x 7.3 x 0.9mm Arbeitsspannnung max. = 3,6 Vmm Betriebstemperatur min. = -40 °Cmm
Statischer RAM, ISSI. Die ISSI statischen RAM Produkte verwenden die hochleistungsfähige CMOS-Technologie. Es gibt eine breite Palette an statischen RAMs, darunter die 5-V-hochgeschwindigkeitsasynchrone SRAM, die hochschnelle, energiesparende asynchrone SRAM, die energiesparenden 5-V-Typen asynchroner SRAM, die sehr energiesparende statische CMOS-RAM und die asynchrone SRAM PowerSaverTM ;sup> mit ;/sup>geringerer Leistung. Die ISSI SRAM Geräte sind in einer Vielzahl von Spannungen, Speichergrößen und verschiedenen Organisationen verfügbar. Sie sind geeignet für Anwendungen wie zum Beispiel CPU-Cache-Speicher, Embedded Prozessoren, Festplatte und Schalter für Industrieelektronik.. Stromversorgung: 1,8 V/3,3 V/5 V Verfügbare Pakete: BGA, SOJ, SOP sTSOP, TSOP Verfügbare Konfigurationen: x8 und x16 ECC-Funktion für schnelle asynchrone SRAMs Weitere Informationen: | | Speicher Größe: | 8MBit | Organisation: | 512 KB x 16 bit | Anzahl der Wörter: | 512k | Anzahl der Bits pro Wort: | 16bit | Zugriffszeit max.: | 55ns | Adressbusbreite: | 19bit | Low Power: | Ja | Montage-Typ: | SMD | Gehäusegröße: | BGA | Pinanzahl: | 48 | Abmessungen: | 8.8 x 7.3 x 0.9mm | Arbeitsspannnung max.: | 3,6 Vmm | Betriebstemperatur min.: | -40 °Cmm |
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| Weitere Suchbegriffe: 8115214, Halbleiter, Speicherbausteine, ISSI, IS62WV51216BLL55BLI, Semiconductors, Memory Chips |
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