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| Artikel-Nr.:
108EL-8152651 Herst.-Nr.:
SIHF9540STRL-GE3 EAN/GTIN:
5059040646452 |
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| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 13 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 200 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 150 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1mm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm
P-Kanal MOSFET, 100 V bis 400 V, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 13 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | D2PAK (TO-263) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 200 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 150 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1mm | Betriebstemperatur min.: | -55 °Cmm |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet 13a, 8152651, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SIHF9540STRLGE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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