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| Artikel-Nr.:
108EL-8187647 Herst.-Nr.:
TN2404K-T1-GE3 EAN/GTIN:
5059040744547 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 300 mA
Drain-Source-Spannung max. = 240 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 6 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 0.8V
Verlustleistung max. = 510 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Betriebstemperatur max. = +150 °Cmm
Höhe = 1.02mm
N-Kanal MOSFET, 200 V bis 250 V, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 300 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 240 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 6 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.8V | Verlustleistung max.: | 510 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Betriebstemperatur max.: | +150 °Cmm | Höhe: | 1.02mm |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, smd transistor, mosfet sot-23, 8187647, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, TN2404KT1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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