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| Artikel-Nr.:
108EL-8222520 Herst.-Nr.:
DMG2302U-7 EAN/GTIN:
5059043739007 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 4,2 A
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 120 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1V
Verlustleistung max. = 800 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –8 V, +8 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur min. = -55 °C
N-Kanal-MOSFET, 12 V bis 28 V, Diodes Inc. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 4,2 A | Drain-Source-Spannung max.: | 20 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 120 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1V | Verlustleistung max.: | 800 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | –8 V, +8 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet sot-23, 8222520, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, DiodesZetex, DMG2302U7, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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