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| Artikel-Nr.:
108EL-8222624 Herst.-Nr.:
DMP2066LSN-7 EAN/GTIN:
5059043741475 |
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| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 3,7 A
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Gehäusegröße = SOT-346
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 70 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1.2V
Verlustleistung max. = 1,25 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -12 V, +12 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1mm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm
P-Kanal-MOSFET, 12 V bis 25 V, Diodes Inc. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 3,7 A | Drain-Source-Spannung max.: | 20 V | Gehäusegröße: | SOT-346 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 70 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1.2V | Verlustleistung max.: | 1,25 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -12 V, +12 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1mm | Betriebstemperatur min.: | -55 °Cmm |
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| Weitere Suchbegriffe: 8222624, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, DiodesZetex, DMP2066LSN7, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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