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| Artikel-Nr.:
108EL-8232915 Herst.-Nr.:
DMG6601LVT-7 EAN/GTIN:
5059043268606 |
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| Channel-Typ = N, P
Dauer-Drainstrom max. = 2 A; 4,5 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = TSOT-26
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 6
Drain-Source-Widerstand max. = 85 mΩ, 190 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3V
Verlustleistung max. = 1,3 W
Transistor-Konfiguration = Isoliert
Gate-Source Spannung max. = -12 V, +12 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 2mm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm
Zweifacher N/P-Kanal-MOSFET, Diodes Inc. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N, P | Dauer-Drainstrom max.: | 2 A; 4,5 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Gehäusegröße: | TSOT-26 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 6 | Drain-Source-Widerstand max.: | 85 mΩ, 190 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3V | Verlustleistung max.: | 1,3 W | Transistor-Konfiguration: | Isoliert | Gate-Source Spannung max.: | -12 V, +12 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2mm | Betriebstemperatur min.: | -55 °Cmm |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet 2a, 8232915, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, DiodesZetex, DMG6601LVT7, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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