Kategorien
Bürobedarf
Hardware, Software, Telekommunikation
Werkzeugtechnik
Elektronik, Elektrotechnik
Betriebsausstattung, Lagerausstattung
Arbeitsschutz
Technischer Handel
Medizinbedarf, Therapie, Labor
Haustechnik, Gebäudetechnik
Verpackung, Versand
Hotel, Gastronomie, Essen, Trinken
Reinigung
Weitere Kategorien
Deutschland
Deutsch
Deutschland
Deutsch
English
Österreich
Deutsch
English
Nederland
Nederlands
English
Italia
Italiano
English
France
Français
English
España
Español
English
United Kingdom
English
Ireland
English
Polska
Polski
English
Magyarország
Magyar
English
Schweiz
Deutsch
Français
Italiano
English
België
Nederlands
Français
Deutsch
English
Mein Mercateo
Anmelden / Registrieren
Anmelden
Neukunde?
Jetzt registrieren
>
Profil
Bestellarchiv
Einkaufslisten
Bedarfsanforderungen
Warenkorb
Startseite
>
Elektronik, Elektrotechnik
>
Aktive Bauelemente
>
Gleichrichter Transistoren Dioden
>
Transistor
>
Leistungs-MOSFET
>
Artikel
Infineon HEXFET IRF7240TRPBF P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 10,5 A 2,5 W, 8-Pin SOIC
Menge:
Packung
Produktinformationen
Fenster schließen
Artikel-Nr.:
108EL-8268835
Hersteller:
Infineon
Herst.-Nr.:
IRF7240TRPBF
EAN/GTIN:
5059043208053
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet infineon
Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 10,5 A
Drain-Source-Spannung max. = 40 V
Serie = HEXFET
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 25 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3V
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 2,5 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Transistor-Werkstoff = Si
Betriebstemperatur min. = -55 °C
P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 40 V bis 55 V, Infineon. Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst P-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
P
Dauer-Drainstrom max.:
10,5 A
Drain-Source-Spannung max.:
40 V
Serie:
HEXFET
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
8
Drain-Source-Widerstand max.:
25 mΩ
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
3V
Gate-Schwellenspannung min.:
1V
Verlustleistung max.:
2,5 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
-20 V, +20 V
Transistor-Werkstoff:
Si
Betriebstemperatur min.:
-55 °C
... >
Halbleiter
>
Diskrete Halbleiter
>
Mosfet
Weitere Suchbegriffe:
leistungs-mosfet
,
mosfet 10a
,
8268835
,
Halbleiter
,
Diskrete Halbleiter
,
Infineon
,
IRF7240TRPBF
,
Semiconductors
,
Discrete Semiconductors
,
MOSFETs
Die Konditionen im Überblick
1
Lieferzeit
Lagerstand
Preis
ab € 9,28*
Preis gilt ab 3.000 Packungen
1 Packung enthält 10 Stück (ab € 0,928* pro Stück)
Konditionen selbst auswählen
Artikel empfehlen
Artikel merken
Staffelpreise
Bestellmenge
Netto
Brutto
Einheit
1 Packung
€ 16,72*
€ 19,8968
pro Packung
ab 2 Packungen
€ 16,50*
€ 19,635
pro Packung
ab 5 Packungen
€ 14,45*
€ 17,1955
pro Packung
ab 10 Packungen
€ 13,21*
€ 15,7199
pro Packung
ab 20 Packungen
€ 12,90*
€ 15,351
pro Packung
ab 25 Packungen
€ 12,27*
€ 14,6013
pro Packung
ab 50 Packungen
€ 11,51*
€ 13,6969
pro Packung
ab 3000 Packungen
€ 9,28*
€ 11,0432
pro Packung
Zubehör
Folgendes Zubehör führen wir in unserem Sortiment:
Art
Bild
Artikel
Hersteller/-Nr.
Preis
Zubehör
EPCOS B828, Stromwandler, Oberflächenmontage, 20:1 20A, 7.11mm x 5.08mm
Epcos
B82801B0205A100
ab € 5,03001*
* Preise mit Sternchen sind Nettopreise zzgl. gesetzlich gültiger MwSt.
UVP bedeutet „Unverbindliche Preisempfehlung“
Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.
Über uns
Support
Presse
Job & Karriere
AGB
Impressum
Datenschutz
Newsletter
Nachhaltigkeit
Datenschutzeinstellungen