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| Artikel-Nr.:
108EL-8270002 Herst.-Nr.:
2N7002DWH6327XTSA1 EAN/GTIN:
5059043509426 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 300 mA
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Serie = OptiMOS™
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 6
Drain-Source-Widerstand max. = 4 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 1.5V
Verlustleistung max. = 500 mW
Transistor-Konfiguration = Isoliert
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 2mm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm
Infineon OptiMOS™-Zweifach-Leistungs-MOSFET Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 300 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Serie: | OptiMOS™ | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 6 | Drain-Source-Widerstand max.: | 4 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1.5V | Verlustleistung max.: | 500 mW | Transistor-Konfiguration: | Isoliert | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2mm | Betriebstemperatur min.: | -55 °Cmm |
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| Weitere Suchbegriffe: 8270002, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, 2N7002DWH6327XTSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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