|  |
| |
| Artikel-Nr.:
108EL-8386973 Herst.-Nr.:
FP10R12W1T4B11BOMA1 EAN/GTIN:
5059043593081 |
| |
|
| | |
| Dauer-Kollektorstrom max. = 20 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 105 W
Konfiguration = Gemeinsamer Kollektor
Montage-Typ = PCB-Montage
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 23
Schaltgeschwindigkeit = 1MHz
Transistor-Konfiguration = 3-phasig
Abmessungen = 48 x 33.8 x 12mm
Betriebstemperatur max. = +150 °C
IGBT-Module, Infineon. Die IGBT-Module von Infineon bieten einen niedrigen Schaltverlust beim Schalten mit Frequenzen von bis zu 60 kHz. Die IGBTs umspannen eine Reihe von Versorgungsmodulen wie die ECONOPACK-Gehäuse mit Kollektor-Emitter-Spannung von 1200 V, PrimePACK-IGBT-Halbbrücken-Choppermodule mit NTC bis 1600/1700 V. Die PrimePACK-IGBTs werden in industriellen, kommerziellen, Bau- und Landwirtschaftsfahrzeugen verwendet. Die N-Channel TRENCHSTOP ;sup>TM ;/sup>- und Fieldstop-IGBT-Module sind für hartes Schalten und weiches Schalten wie in Wechselrichtern, USV und industriellen Antrieben geeignet.. Gehäuseausführungen umfassen: 62-mm-Modul, EasyPack, EconoPACK ;sup>TM ;/sup>2/EconoPACK ;sup>TM ;/sup>3/EconoPACK ;sup>TM ;/sup>4 Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 20 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 1200 V | Gate-Source Spannung max.: | ±20V | Verlustleistung max.: | 105 W | Konfiguration: | Gemeinsamer Kollektor | Montage-Typ: | PCB-Montage | Channel-Typ: | N | Pinanzahl: | 23 | Schaltgeschwindigkeit: | 1MHz | Transistor-Konfiguration: | 3-phasig | Abmessungen: | 48 x 33.8 x 12mm | Betriebstemperatur max.: | +150 °C |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: igbt module, 8386973, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IGBT, Infineon, FP10R12W1T4B11BOMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
| | |
| |