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| Artikel-Nr.:
108EL-8977333 Herst.-Nr.:
IPW60R125CPFKSA1 EAN/GTIN:
5059043742144 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 25 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Serie = CoolMOS CP
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 125 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 2.5V
Verlustleistung max. = 208 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1mm
Betriebstemperatur min. = –55 °CV
Leistungs-MOSFET Infineon CoolMOS™CP Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 25 A | Drain-Source-Spannung max.: | 650 V | Serie: | CoolMOS CP | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 125 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2.5V | Verlustleistung max.: | 208 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1mm | Betriebstemperatur min.: | –55 °CV |
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| Weitere Suchbegriffe: 8977333, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPW60R125CPFKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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