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Infineon CoolMOS™ C6 IPW60R099C6FKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 38 A 278 W, 3-Pin TO-247


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Infineon CoolMOS™ C6 IPW60R099C6FKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 38 A 278 W, 3-Pin TO-247
Artikel-Nr.:
     108EL-8977406
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IPW60R099C6FKSA1
EAN/GTIN:
     5059043739502
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet infineon
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 38 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Serie = CoolMOS™ C6
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 99 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 2.5V
Verlustleistung max. = 278 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1mm
Betriebstemperatur min. = –55 °Cmm

Leistungs-MOSFET Infineon CoolMOS™C6/C7
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
38 A
Drain-Source-Spannung max.:
650 V
Serie:
CoolMOS™ C6
Montage-Typ:
THT
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
99 mΩ
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
3.5V
Gate-Schwellenspannung min.:
2.5V
Verlustleistung max.:
278 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
-30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip:
1mm
Betriebstemperatur min.:
–55 °Cmm
Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, 8977406, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPW60R099C6FKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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