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| Artikel-Nr.:
108EL-8977501 Herst.-Nr.:
IPA50R280CEXKSA2 EAN/GTIN:
5059043732220 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 13 A
Drain-Source-Spannung max. = 550 V
Serie = CoolMOS™ CE
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 280 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Verlustleistung max. = 30,4 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur min. = –40 °C
Leistungs-MOSFET CoolMOS™CE von Infineon Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 13 A | Drain-Source-Spannung max.: | 550 V | Serie: | CoolMOS™ CE | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 280 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Verlustleistung max.: | 30,4 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur min.: | –40 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet 13a, 8977501, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPA50R280CEXKSA2, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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