Leistungstransistor, Typ=BUL216, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=1.2 V, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-65 °C, Emitter-Basis-Spannung (Vebo)=9 V, Gleichstromverstärkung (hFE)=40, Kollektor-Basis-Spannung (Vcbo)=-999, Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo)=800 V, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vce(sat))=3 V, Kontinuierlicher Kollektor-Strom (Ic)=4 A, Leistungsverteilung (PV)=90 W, Pins=3, Reflow Löttemperatur max=-999, Übergangsfrequenz=-999, Bauform=TO-220, Konfiguration=Einfach, Montageart=Durchsteckmontage, Transistor-Polarität=NPN, Verpackung=Röhre Weitere Informationen:  | | Ursprungsland: | US | Höhe: | 3 mm | Nettogewicht: | 1 g | Tiefe: | 30 mm | Bruttogewicht: | 1 g | Breite: | 15 mm | MERCATEO_WA_NR: | 8541210000 |
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