MOSFET, Typ=NTD5865NLT4G, Abfallzeit=4.4 ns, Anstiegzeit=12.4 ns, Ausschaltverzögerung=26 ns, Betriebstemperatur, max.=175 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Drain-Source-Spannung (Vds)=60 V, Einschaltverzögerung=8.4 ns, Gate-Source-Spannung=20 V, Kontinuierlicher Drain-Strom (Id)=46 A, Leistungsverteilung (PV)=71 W, Pins=4, Reflow Löttemperatur max=260 °C, Widerstand EIN (Rds(On))=19 mΩ, Bauform=TO-252, Konfiguration=Einfach, MSL=Stufe-1, Montageart=SMT, Transistor-Polarität=N-Kanal, Verpackung=Band & Rolle Weitere Informationen:  | | Ursprungsland: | MY | Höhe: | 4 mm | Nettogewicht: | 0,420 g | Tiefe: | 16 mm | Bruttogewicht: | 0,42 g | Breite: | 6 mm | MERCATEO_WA_NR: | 8541290000 |
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