MOSFET-Modul, Typ=IXFN110N85X, Abfallzeit=11 ns, Anstiegzeit=25 ns, Ausschaltverzögerung=144 ns, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Drain-Source-Spannung (Vds)=850 V, Einschaltverzögerung=50 ns, Gate-Source-Schleusenspannung=5.5 V, Gate-Source-Spannung=30 V, Kontinuierlicher Drain-Strom (Id)=110 A, Leistungsverteilung (PV)=1.17 kW, Reflow Löttemperatur max=-999, Widerstand EIN (Rds(On))=33 mΩ, Bauform=SOT-227B, Konfiguration=Einfach, Montageart=SMT, Transistor-Polarität=N-Kanal, Verpackung=Röhre Weitere Informationen:  | | Ursprungsland: | PH | Höhe: | 12 mm | Nettogewicht: | 29 g | Tiefe: | 40 mm | Bruttogewicht: | 29 g | Breite: | 30 mm | MERCATEO_WA_NR: | 8541100000 |
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