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| Artikel-Nr.:
115-30341219 Herst.-Nr.:
IPD090N03LGATMA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| MOSFET, Typ=IPD090N03LGATMA1, Abfallzeit=2.6 ns, Anstiegzeit=3 ns, Ausschaltverzögerung=15 ns, Betriebstemperatur, max.=175 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Drain-Source-Spannung (Vds)=30 V, Einschaltverzögerung=4 ns, Gate-Source-Spannung=20 V, Kontinuierlicher Drain-Strom (Id)=40 A, Leistungsverteilung (PV)=42 W, Pins=3, Reflow Löttemperatur max=-999, Widerstand EIN (Rds(On))=9 mΩ, Bauform=TO-252, Konfiguration=Einfach, Montageart=SMT, Transistor-Polarität=N-Kanal, Verpackung=Band & Rolle Weitere Informationen: | | Ursprungsland: | MY | Höhe: | 4 mm | Nettogewicht: | 0,400 g | Tiefe: | 16 mm | Bruttogewicht: | 0,4 g | Breite: | 8 mm | MERCATEO_WA_NR: | 8541100000 |
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