MOSFET, N-Kanal, 650V, 5A, SOT-223

MOSFET, Typ=IPN60R1K5CEATMA1, Abfallzeit=20 ns, Anstiegzeit=7 ns, Ausschaltverzögerung=40 ns, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-40 °C, Drain-Source-Spannung (Vds)=650 V, Einschaltverzögerung=8 ns, Gate-Source-Spannung=20 V, Kontinuierlicher Drain-Strom (Id)=5 A, Leistungsverteilung (PV)=5 W, Pins=3, Reflow Löttemperatur max=260 °C, Widerstand EIN (Rds(On))=1.5 Ω, Bauform=SOT-223, Konfiguration=Einfach, Montageart=Durchsteckmontage, Transistor-Polarität=N-Kanal, Verpackung=Band & Rolle