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| Artikel-Nr.:
115-30341261 Herst.-Nr.:
IRF1010EPBF EAN/GTIN:
k.A. |
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| MOSFET, Typ=IRF1010EPBF, Abfallzeit=53 ns, Anstiegzeit=78 ns, Ausschaltverzögerung=48 ns, Betriebstemperatur, max.=175 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Drain-Source-Spannung (Vds)=60 V, Einschaltverzögerung=12 ns, Gate-Source-Spannung=20 V, Kontinuierlicher Drain-Strom (Id)=84 A, Leistungsverteilung (PV)=200 W, Pins=3, Reflow Löttemperatur max=300 °C, Widerstand EIN (Rds(On))=12 mΩ, Bauform=TO-220, Konfiguration=Einfach, Montageart=Durchsteckmontage, Transistor-Polarität=N-Kanal, Verpackung=Röhre Weitere Informationen: | | Ursprungsland: | US | Höhe: | 5 mm | Nettogewicht: | 2 g | Tiefe: | 30 mm | Bruttogewicht: | 2 g | Breite: | 10 mm | MERCATEO_WA_NR: | 8541100000 |
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