| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Artikel-Nr.: 115-30400203 Herst.-Nr.: XP223N10013R-G EAN/GTIN: k.A. |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | MOSFET, Typ=XP223N10013R-G, Abfallzeit=10 ns, Anstiegzeit=8 ns, Ausschaltverzögerung=26 ns, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Drain-Source-Spannung (Vds)=20 V, Einschaltverzögerung=8 ns, Gate-Source-Spannung=8 V, Kontinuierlicher Drain-Strom (Id)=1 A, Leistungsverteilung (PV)=350 mW, Pins=3, Reflow Löttemperatur max=-999, Widerstand EIN (Rds(On))=300 mΩ, Bauform=SOT-323, Montageart=SMT, Transistor-Polarität=N-Kanal, Verpackung=Band & Rolle Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Ursprungsland: | JP | Höhe: | 2 mm | Nettogewicht: | 0,010 g | Tiefe: | 8 mm | Bruttogewicht: | 0,01 g | Breite: | 5 mm | MERCATEO_WA_NR: | 8542900000 |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |