| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Artikel-Nr.: 139-1495228 Herst.-Nr.: FDC658AP EAN/GTIN: k.A. |
| | |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044 ohmProduktpalette: - MSL: - Anzahl der Pins: 6 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: p-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 4 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: SuperSOT Drain-Source-Spannung Vds: 30 VVerlustleistung: 1.6 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8 VSVHC: No SVHC (23-Jan-2024) RoHS konform: Ja |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, ONSEMI, FDC658AP, 1495228, 149-5228 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |