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Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.082 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
Menge:
Stück
Produktinformationen
Artikel-Nr.:
139-2323159
Hersteller:
onsemi
Herst.-Nr.:
FDC5614P
EAN/GTIN:
k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet sot-23
Rds(on)-Prüfspannung:
10 V
Drain-Source-Durchgangswiderstand:
0.082 ohm
Produktpalette:
-
MSL:
MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Pins:
6 Pin(s)
Transistormontage:
Oberflächenmontage
Kanaltyp:
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id:
3 A
Betriebstemperatur, max.:
150 °C
Bauform - Transistor:
SuperSOT
Drain-Source-Spannung Vds:
60 V
Verlustleistung:
1.6 W
Qualifikation:
-
Gate-Source-Schwellenspannung, max.:
1.6 V
SVHC:
No SVHC (23-Jan-2024)
RoHS konform: Ja
... >
Gleichrichter, Transistoren, Thyristoren & Dioden
>
FETs
>
Einfache MOSFET
Weitere Suchbegriffe:
leistungs-mosfet
,
on semiconductor mosfet
,
Dioden
,
Einfache
,
FETs
,
Gleichrichter
,
Thyristoren
,
Transistoren
,
ONSEMI
,
FDC5614P
,
2323159
,
232-3159
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