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| Artikel-Nr.: 139-2464067 Herst.-Nr.: BC857CDW1T1G EAN/GTIN: k.A. |
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| Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 6 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: PNP Verlustleistung, NPN: - Betriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: SOT-363 Verlustleistung, PNP: 250 mWDC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 420 hFEÜbergangsfrequenz, NPN: - Übergangsfrequenz, PNP: 100 MHzQualifikation: AEC-Q101 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45 VKontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100 mADC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: - RoHS konform: Ja |
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| Weitere Suchbegriffe: smd transistor, (BJT), Bipolare, Dioden, Gleichrichter, Schichttransistor-Arrays, Thyristoren, Transistoren, ONSEMI, BC857CDW1T1G, 2464067, 246-4067 |
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