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| Artikel-Nr.: 139-2469655 Herst.-Nr.: PMV45EN2 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035 ohmProduktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 5.1 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: SOT-23 Drain-Source-Spannung Vds: 30 VVerlustleistung: 510 mWQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5 VSVHC: No SVHC (23-Jan-2024) RoHS konform: Ja |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, NEXPERIA, PMV45EN2, 2469655, 246-9655 |
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