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| Artikel-Nr.: 139-2981245 Herst.-Nr.: NVTFS6H854NTAG EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0119 ohmProduktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 8 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 44 ABetriebstemperatur, max.: 175 °CBauform - Transistor: WDFN Drain-Source-Spannung Vds: 80 VVerlustleistung: 68 WQualifikation: AEC-Q101 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 VSVHC: Lead (23-Jan-2024) RoHS konform: Keine Angaben |
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![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, ONSEMI, NVTFS6H854NTAG, 2981245, 298-1245 |
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