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| Artikel-Nr.: 139-3368862 Herst.-Nr.: NVMFS4C03NT1G EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014 ohmProduktpalette: - Anzahl der Pins: 8 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 159 ABetriebstemperatur, max.: 175 °CBauform - Transistor: SOIC Drain-Source-Spannung Vds: 30 VVerlustleistung: 77 WQualifikation: AEC-Q101 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2 VSVHC: No SVHC (15-Jan-2018) RoHS konform: Keine Angaben |
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![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, ONSEMI, NVMFS4C03NT1G, 3368862, 336-8862 |
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