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| Artikel-Nr.: 139-3588812 Herst.-Nr.: FCH029N65S3-F155 EAN/GTIN: k.A. |
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| Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0237 ohmProduktpalette: SuperFET III MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s)Transistormontage: Durchsteckmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 75 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: TO-247 Drain-Source-Spannung Vds: 650 VVerlustleistung: 463 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5 VSVHC: No SVHC (15-Jan-2018) RoHS konform: Keine Angaben |
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| Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, ONSEMI, FCH029N65S3-F155, 3588812, 358-8812 |
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