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| Artikel-Nr.: 139-3598634 Herst.-Nr.: G2R120MT33J EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Rds(on)-Prüfspannung: 20 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12 ohmProduktpalette: G2R Anzahl der Pins: 7 Pin(s)MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Kanaltyp: n-Kanal Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Dauer-Drainstrom Id: 35 ABetriebstemperatur, max.: 175 °CDrain-Source-Spannung Vds: 3.3 kVVerlustleistung: 402 WGate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5 VSVHC: No SVHC (17-Dec-2015) RoHS konform: Ja |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: (SiC)-MOSFET, Dioden, FETs, Gleichrichter, Module, Siliziumkarbid, Thyristoren, Transistoren, GENESIC SEMICONDUCTOR, G2R120MT33J, 3598634, 359-8634 |
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