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| Artikel-Nr.: 139-3605913 Herst.-Nr.: SIZ256DT-T1-GE3 EAN/GTIN: k.A. |
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| Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 70 V Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 31.8 AProduktpalette: TrenchFET Gen IV Series Anzahl der Pins: 8 Pin(s)Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 70 VDauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 31.8 ADrain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137 ohmKanaltyp: n-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137 ohmVerlustleistung, n-Kanal: 33 WVerlustleistung, p-Kanal: 33 WBetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: PowerPAIR Qualifikation: - SVHC: To Be Advised RoHS konform: Ja |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, smd transistor, Dioden, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, Zweifache, VISHAY, SIZ256DT-T1-GE3, 3605913, 360-5913 |
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