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| Artikel-Nr.: 139-3639657 Herst.-Nr.: SIJH112E-T1-GE3 EAN/GTIN: k.A. |
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| Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023 ohmProduktpalette: TrenchFET Gen IV Anzahl der Pins: 4 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 225 ABetriebstemperatur, max.: 175 °CBauform - Transistor: PowerPAK Drain-Source-Spannung Vds: 100 VVerlustleistung: 333 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 VSVHC: To Be Advised RoHS konform: Ja |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, smd transistor, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SIJH112E-T1-GE3, 3639657, 363-9657 |
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