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ONSEMI FDD306P MOSFET, P-KANAL, TO-252


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     139-9958827
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     FDD306P
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
on semiconductor mosfet
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09 ohm
  • Produktpalette: -
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: p-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 6.7 A
  • Betriebstemperatur, max.: 175 °C
  • Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
  • Drain-Source-Spannung Vds: 12 V
  • Verlustleistung: 52 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500 mV
  • SVHC: Lead (23-Jan-2024)
  • RoHS konform: Keine Angaben
    • Weitere Suchbegriffe: mosfet dpak, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, ONSEMI, FDD306P, 9958827, 995-8827
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