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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0,115A; Idm: 0,8A; 0,08W; SOT23


Menge:  Packungen  
Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0,115A; Idm: 0,8A; 0,08W; SOT23
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0,115A; Idm: 0,8A; 0,08W; SOT23
Artikel-Nr.:
     2805-2N7002-T1-GE3
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     2N7002-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: SOT23
Drain-Source Spannung: 60V
Drainstrom: 0,115A
Widerstand im Leitungszustand: 13,5Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 80mW
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 0,8A
Die Konditionen im Überblick1
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