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Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0,12A; Idm: 0,76A

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Produktinformationen

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0,12A; Idm: 0,76A

Artikel-Nr.:
2805-2N7002NXAKR

Hersteller:
Nexperia

Herst.-Nr.:
2N7002NXAKR

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor

Hersteller: NEXPERIA
Montage: SMD
Gehäuse: SOT23;TO236AB
Drain-Source Spannung: 60V
Drainstrom: 0,12A
Widerstand im Leitungszustand: 9,2Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 0,265W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Eigenschaften von Halbleiterelementen: ESD protected gate
Gate-Ladung: 0,43nC
Technologie: Trench
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 0,76A

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