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Transistor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolar; 100V; 35,5A; 8,3W; D2PAK


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolar; 100V; 35,5A; 8,3W; D2PAK
Transistor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolar; 100V; 35,5A; 8,3W; D2PAK
Artikel-Nr.:
     2805-AOB66916L
Hersteller:
     Alpha & Omega Semiconductor
Herst.-Nr.:
     AOB66916L
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Montage: SMD
Gehäuse: D2PAK
Drain-Source Spannung: 100V
Drainstrom: 35,5A
Widerstand im Leitungszustand: 3,6mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 8,3W
Polarisierung: unipolar
Gate-Ladung: 78nC
Technologie: AlphaSGT™
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
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