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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 12A; Idm: 68A; 625W; TO247-3


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 12A; Idm: 68A; 625W; TO247-3
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 12A; Idm: 68A; 625W; TO247-3
Artikel-Nr.:
     2805-APT18M100B
Hersteller:
     MICROCHIP (MICROSEMI)
Herst.-Nr.:
     APT18M100B
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
Montage: THT
Gehäuse: TO247-3
Drain-Source Spannung: 1kV
Drainstrom: 12A
Widerstand im Leitungszustand: 0,7Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 625W
Polarisierung: unipolar
Einheitspreis: Nein
Gate-Ladung: 150nC
#Werbeaktionen: aac_202202
Technologie: POWER MOS 8®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±30V
Drainstrom im Impuls: 68A
Weitere Suchbegriffe: mosfet
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