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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 12A; Idm: 70A; 500W; TO247-3


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 12A; Idm: 70A; 500W; TO247-3
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 12A; Idm: 70A; 500W; TO247-3
Artikel-Nr.:
     2805-APT18M80B
Hersteller:
     MICROCHIP (MICROSEMI)
Herst.-Nr.:
     APT18M80B
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
Montage: THT
Gehäuse: TO247-3
Drain-Source Spannung: 800V
Drainstrom: 12A
Widerstand im Leitungszustand: 530mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 500W
Polarisierung: unipolar
Gate-Ladung: 0,12µC
Technologie: POWER MOS 8®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±30V
Drainstrom im Impuls: 70A
Weitere Suchbegriffe: 800v mosfet, mosfet, transistor 800v
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