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Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 29A; SOT227B


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Produktinformationen
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 29A; SOT227B
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 29A; SOT227B
Artikel-Nr.:
     2805-APT35GP120J
Hersteller:
     MICROCHIP (MICROSEMI)
Herst.-Nr.:
     APT35GP120J
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT Module
Schalttransistor
Transistor
igbt module
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
Gehäuse: SOT227B
Rückspannung max.: 1,2kV
Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor
Gate - Emitter Spannung: ±30V
Kollektor-Emitter-Strom: 29A
Kollektorstrom im Impuls: 140A
Einheitspreis: Nein
Elektrische Montage: schraubbar
Mechanische Montage: schraubbar
Modul-Typ: IGBT
#Werbeaktionen: aac_202202
Technologie: POWER MOS 7®;PT
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