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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 59A; Idm: 335A; 96W


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     2805-BUK768R1-40E.118
Hersteller:
     Nexperia
Herst.-Nr.:
     BUK768R1-40E,118
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: NEXPERIA
Montage: SMD
Gehäuse: D2PAK;SOT404
Drain-Source Spannung: 40V
Drainstrom: 59A
Widerstand im Leitungszustand: 13,7mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Anwendung: Automobilbranche
Verlustleistung: 96W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 24nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 335A
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Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.