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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6,5A; Idm: 37A; 36W


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Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     2805-BUK9M156-100EX
Hersteller:
     Nexperia
Herst.-Nr.:
     BUK9M156-100EX
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: NEXPERIA
Montage: SMD
Gehäuse: LFPAK33;SOT1210
Drain-Source Spannung: 100V
Drainstrom: 6,5A
Widerstand im Leitungszustand: 0,42Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Anwendung: Automobilbranche
Verlustleistung: 36W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 7,4nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±10V
Drainstrom im Impuls: 37A
Weitere Suchbegriffe: Transistor, smd transistor
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