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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 7,6A; Idm: 200A; 2,5W; SO8


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     2805-DI7A6N10SQ-DIO
Hersteller:
     DIOTEC SEMICONDUCTOR
Herst.-Nr.:
     DI7A6N10SQ
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Montage: SMD
Gehäuse: SO8
Drain-Source Spannung: 100V
Drainstrom: 7,6A
Widerstand im Leitungszustand: 28mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 2,5W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 22nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 200A
Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet 100v, smd transistor
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