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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4,82A; Idm: 40A; 940mW


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     2805-DMG4800LFG-7
Hersteller:
     Diodes
Herst.-Nr.:
     DMG4800LFG-7
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Montage: SMD
Gehäuse: U-DFN3030-8
Drain-Source Spannung: 30V
Drainstrom: 4,82A
Widerstand im Leitungszustand: 24mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 0,94W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 9,47nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±25V
Drainstrom im Impuls: 40A
Weitere Suchbegriffe: Transistor, diodes mosfet, smd transistor
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