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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6,5A; 1,71W; TO252


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6,5A; 1,71W; TO252
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6,5A; 1,71W; TO252
Artikel-Nr.:
     2805-DMG4800LK3-13
Hersteller:
     Diodes
Herst.-Nr.:
     DMG4800LK3-13
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Montage: SMD
Gehäuse: TO252
Drain-Source Spannung: 30V
Drainstrom: 6,5A
Widerstand im Leitungszustand: 24mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 1,71W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±25V
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